網紅的藏寶箱Samsung เผยข้อมูลเป้าหมายใหม่สำหรับพัฒนาแรม DDR5 แบบ TSV 8-Stack เพิ่มขีดความสามารถอีก 2 เท่าจาก DDR4 อาจมีขนาดความจุมากถึง 512GB ต่อแถว
-
เทคโนโลยีการผลิตแบบใหม่นี้จะช่วยให้มีการวางเรียงชิปได้ถึง 8-Stack โดยที่มีขนาดความสูงน้อยกว่า DDR4 4-Stack ซะอีก เป็นผลมาจากการลดช่องว่างระหว่าง Die ที่มากถึง 40% ควบคู่กับเทคนิคการใช้แผ่นเวเฟอร์ที่บาง และยังช่วยให้มีการระบายความร้อนที่ดีขึ้นด้วย
-
ขนาดความจุสูงสุดที่ทำได้ถึง 512GB นับเป็นก้าวกระโดดสำคัญที่พัฒนาขึ้นมาจาก DDR4 ที่สามารถทำได้เต็มที่เพียง 32 และ 64 GB เท่านั้น หรือขนาด 128 GB และ 256 GB ที่พอจะมีอยู่บ้างเล็กน้อยในตลาดเครื่อง Server
-
ด้านประสิทธิภาพคาดว่าจะดีขึ้นกว่าเดิมถึง 85% เมื่อเทียบกับ DDR4 เดิม ขนาดแบนด์วิดธ์สูงสุดที่ 7.2 Gbps ใช้แรงดันไฟที่ต่ำลงเหลือเพียง 1.1V คาดว่าตลาดผู้ใช้งานทั่วไปจะเริ่มเปลี่ยนมาใช้ DDR5 ช่วงปี 2023 หรือ 2024 สำหรับกลุ่มตลาด Data Center จะเร็วกว่านั้น
-
ที่มา https://videocardz.com/newz/samsung-plans-8-stacked-tsv-ddr5-memory-modules-with-up-to-512gb-total-capacity
By RecCaz
Search